壓電式傳感器也廣泛應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)測量中，比如說心室導(dǎo)管式微音器就是由壓電傳感器制成的，因為測量動態(tài)壓力是如此普遍，所以壓電傳感器的應(yīng)用就非常廣。

除了壓電傳感器之外，還有利用壓阻效應(yīng)制造出來的壓阻傳感器，利用應(yīng)變效應(yīng)的應(yīng)變式傳感器等，這些不同的壓力傳感器利用不同的效應(yīng)和不同的材料，在不同的場合能夠發(fā)揮它們獨特的用途。

其實正壓送風(fēng)系統(tǒng)原理很簡單，在高層建筑消防系統(tǒng)中，電梯前室和樓梯間是通過正壓送風(fēng)機送風(fēng)的，通過正壓送風(fēng)壓力傳感器檢測前室和樓梯間的通風(fēng)壓力或壓差，然后輸出信號接通樓頂旁通泄壓閥控制箱電源，處于樓頂?shù)呐酝ㄐ箟洪y打開進行送風(fēng)泄壓,降低壓力或壓差值，當(dāng)壓力或壓差值降低到一定值，正壓送風(fēng)壓力傳感器觸點斷開，控制樓頂旁通閥斷電，旁通閥閉合停止泄壓。

多晶硅電阻膜的準確阻值

此外，與單晶硅壓阻相比，多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作，如在介電體（SiO2、Si3N4）上。其制備過程與常規(guī)半導(dǎo)體工藝兼容，且無PN結(jié)隔離問題，因而適合更高工作溫度（t≥200℃）場合使用。在相同工作溫度下，多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比，可更有效地抑制溫度漂移，有利于長期穩(wěn)定性的實現(xiàn)。多晶硅電阻膜的準確阻值可以通過光刻手段獲得。 綜上所述，多晶硅膜具有較寬的工作溫度范圍（-60~+300℃），可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應(yīng)變靈敏系數(shù)及能達到準確調(diào)整阻值的特點。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時，利用多晶硅膜這些電學(xué)特性，有時比只用單晶硅更有價值。例如，利用機械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片，在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2，再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型前室壓差控制器定制，發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢，其工作高溫至少可達200℃，甚至300℃；低溫為-60℃。

化合物半導(dǎo)體材料硅是制作微機電器件和裝置的主要材料

四、化合物半導(dǎo)體材料 硅是制作微機電器件和裝置的主要材料。為了提高器件和系統(tǒng)的性能以及擴大應(yīng)用范圍，化合物半導(dǎo)體材料在某些專門技術(shù)方面起著重要作用。如在紅外光、可見光及紫外光波段的成像器和探測器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益廣泛的應(yīng)用。 現(xiàn)以紅外探測器為例加以說明。利用紅外幅射與物質(zhì)作用產(chǎn)生的各種效應(yīng)發(fā)展起來的，實用的光敏探測器，主要是針對紅外幅射在大氣傳輸中透射率為清晰的3個波段（1-3μm，3-5μm，8-14μm）研制的。對于波長1-3μm敏感的探測器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te；對于波長3-5μm敏感的探測器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te；對于波長8-14μm敏感的探險測器則有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征（摻雜）半導(dǎo)體Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一種本征吸收材料，通過調(diào)整材料的組分，不僅可以制成適合3個波段的器件，還可以開發(fā)更長工作波段（1-30μm）的應(yīng)用，因而備受人們的關(guān)注。 須指出的是，上述材料需要在低溫（如77K）下工作。因為在室溫下，由于晶格振動能量與雜質(zhì)能量的相互作用，使熱激勵的載流子數(shù)增加，而激發(fā)的光子數(shù)則明顯減少，從而降低了波長區(qū)的探測靈敏度。